“P2DAME”, ecco il polimero 2D italiano per transistor ad alta frequenza

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La realizzazione di un dispositivo elettronico, un transistor ad effetto di campo (FET) ad alta frequenza, il cui cuore sia un polimero bidimensionale semiconduttore, con un’alta mobilità elettronica, ottenuto tramite la tecnica chiamata on-surface synthesis (OSS). E’ questo l’obiettivo del progetto italiano P2DAME, nato dalla collaborazione tra il Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), l’Istituto di Struttura della Materia (CNR-ISM) ed il Dipartimento di Fisica dell’Università degli Studi di Roma “Tor Vergata”.
Al giorno d’oggi una grande sfida e’ rappresentata dalla produzione di nanomateriali organici, utilizzabili come componenti attivi nei dispositivi elettronici, dotati di una conduzione elettrica modificabile a piacere. Una nuova promettente strategia di produzione si basa sull’uso di reazioni chimiche confinate su opportune superfici per la formazione di strutture polimeriche covalenti, meccanicamente e termicamente piu’ robuste delle molecole singole e capaci di trasferire la carica elettrica in modo molto efficiente. Questa metodologia e’ chiamata on-surface synthesis (OSS). Sono proprio queste caratteristiche che rendono innovativo e promettente l’obiettivo del progetto P2DAME che potrebbe colmare le mancanze dei materiali attualmente utilizzati nella costruzione di dispositivi, che possono trovare largo impiego nel campo delle trasmissioni satellitari, nella componentistica aerospaziale o come mezzo attivo in un FET ad alta frequenza. Gli sbocchi applicativi di questo polimero 2D rientrano nelle Aree di Specializzazione (AdS) rilevanti per la Smart Specialization Strategy della Regione Lazio, quali green economy e aerospazio, rendendo tale progetto particolarmente rilevante nel panorama locale ed internazionale. A coordinare il progetto e’ Giorgio Contini del CNR-ISM, assieme al collega Marco Di Giovannantonio e ad i ricercatori dell’Universita’ degli Studi di Roma “Tor Vergata”, Anna Sgarlata, Maurizia Palummo e Filippo Savazzi.